ไดโอดเปล่งแสงอินฟราเรดกำลังสูง 850nm

ไดโอดเปล่งแสงอินฟราเรดกำลังสูง 850 นาโนเมตรให้เอาต์พุตรังสีอินฟราเรดที่สูงขึ้นสำหรับการใช้งานที่ต้องการสัญญาณอินฟราเรดที่แรงกว่า EE852M2 รองรับกระแสไฟขับเคลื่อนไปข้างหน้าสูงสุด 100 mA นอกเหนือจากการทำงานมาตรฐาน 20 mA ซึ่งสร้างความเข้มของรังสีอินฟราเรดที่สูงขึ้นในขณะที่รักษามุมลำแสงกว้าง ±60 องศา ไดโอดอินฟราเรดกำลังสูงนี้สร้างขึ้นสำหรับสถานการณ์ที่ต้องปรับปรุงระยะการส่งสัญญาณหรือความแรงของสัญญาณเมื่อเปรียบเทียบกับตัวปล่อยอินฟราเรดกำลังมาตรฐาน

ไดโอดอินฟราเรดกำลังสูงมีข้อกำหนดที่เข้มงวดในการคัดกรองชิปและคุณภาพการห่อหุ้มที่เกี่ยวข้องกับความร้อน ความสามารถด้านการวิจัยและพัฒนาระดับมืออาชีพภายในของเราช่วยสร้างเสถียรภาพให้กับประสิทธิภาพด้านออปติคอลอิเล็กทริกสำหรับตัวแปรที่มีกำลังสูง เมื่อส่วนประกอบเกรดมาตรฐานไม่สามารถตอบสนองความต้องการของโครงการได้

เราสนับสนุนการพัฒนาแบบกำหนดเองสำหรับไดโอดเปล่งแสงอินฟราเรดกำลังสูง คุณสามารถจัดเตรียมภาพวาดหรือต้นแบบให้เราประเมินความเป็นไปได้ได้ มีบริการ OEM และ ODM มีการเสนอตัวอย่างการสนับสนุนก่อนการผลิตจำนวนมาก

แต่ละยูนิตบรรจุในถุงป้องกันไฟฟ้าสถิตย์ วางไว้ในกล่องโฟมกันกระแทก กล่องทั้งหมดบรรจุลงในกล่องกระดาษลูกฟูกเสริมความแข็งแรงด้วยวัสดุกันกระแทก ห่อด้วยฟิล์มยืดกันน้ำที่มีเครื่องหมายเตือน "ป้องกันไฟฟ้าสถิต", "เปราะบาง" มีเงื่อนไขการค้า EXW, FOB, DDP

ป้ายกำกับยอดนิยม: ไดโอดเปล่งแสงอินฟราเรดกำลังสูง 850 นาโนเมตร ผู้ผลิตไดโอดเปล่งแสงอินฟราเรดกำลังสูง 850 นาโนเมตร ซัพพลายเออร์ โรงงาน, ตัวปล่อยสัญญาณ LED อินฟราเรด, ไดโอดเปล่งแสง 365 นาโนเมตร, ไดโอดเปล่งแสง 385 นาโนเมตร, ลีด 940 นาโนเมตร, อินฟราเรด LED 850 นาโนเมตร